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參數(shù)資料
| 型號： | IPB050N06LG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | IPB050N06LG |
IPP050N06N G IPB050N06N G
PG-TO220-3: Outline
Rev. 1.11
page 9
2006-07-06
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB050N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB051NE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPB050N06N G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB050N06NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB050N06NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB051NE8N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB051NE8NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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