參數(shù)資料
型號(hào)： IPI05CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
文件大小： 526K
代理商： IPI05CN10NG
IPB05CN10N G IPI05CN10N G
IPP05CN10N G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
N-channel, normal level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC
1)
for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
100
A
T
C
=100 °C
100
Pulsed drain current
3)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=100 A,
R
GS
=25
826
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=100 A,
V
DS
=80 V,
d
i
/d
t
=100 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
100
V
R
DS(on),max (TO 263)
5.1
m
I
D
100
A
Product Summary
Type
IPB05CN10N G
IPI05CN10N G
IPP05CN10N G
Package
PG-TO263-3
PG-TO262-3
PG-TO220-3
Marking
05CN10N
05CN10N
05CN10N
Rev. 1.05
page 1
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB065N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI05CNE8N G 功能描述:MOSFET N-CH 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI05CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05N03LA 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPI06CN10N G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI06CN10NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor
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