參數(shù)資料
型號(hào)： IPB050N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 451K
代理商： IPB050N06LG
IPP050N06N G IPB050N06N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
5 V
5.5 V
6.5 V
7 V
10 V
0
0
5
10
15
0
40
80
120
160
200
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
[V]
I
D
0
40
80
120
160
200
240
0
40
80
120
160
200
I
D
[A]
g
f
5 V
5.5 V
6.5 V
7 V
10V
0
0
40
80
120
160
200
240
280
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.11
page 5
2006-07-06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB050N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB051NE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB050N06N G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB050N06NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB050N06NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB051NE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB051NE8NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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