參數(shù)資料
型號(hào)： IHW30N90T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode
中文描述： 低損耗DuoPack：IGBT的在TrenchStop和場(chǎng)終止技術(shù)與反并聯(lián)二極管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 329K
代理商： IHW30N90T
IHW30N90T
Soft Switching Series
q
Power Semiconductors
11
Rev. 2.1 Apr 06
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
di
/dt
r r
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IKA06N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKB06N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKB20N60T IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP20N60T IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKW20N60T IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IHW30N90T_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Soft Switching Series
IHW30N90TFKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 900V 60A 428W TO247-3
IHW40N120R3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
IHW40N135R3FKSA1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW40N60R 功能描述:IGBT 晶體管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*