參數(shù)資料
型號(hào)： IHW15N120R2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開展與IGBT的單片體二極管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 364K
代理商： IHW15N120R2
IHW15N120R2
Soft Switching Series
Power Semiconductors
4
Rev. 1.2 May 06
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
30A
40A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
1A
10A
DC
10μs
t
p
=1μs
50μs
1ms
10ms
200μs
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency for hard
switching (turn-off)
(
T
j
≤
175
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 600V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 14.8
)
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. IGBT Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
175
°
C;
V
GE
=15V)
P
t
,
D
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0W
50W
100W
150W
200W
250W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0A
10A
20A
30A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function of
case temperature
(
T
j
≤
175
°
C)
Figure 4. DC Collector current as a function
of case temperature
(
V
GE
≥
15V,
T
j
≤
175
°
C)
I
c
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PDF描述
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