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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71028S20YG8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 457K |
| 代理商： | IDT71028S20YG8 |
6.42
IDT71028 CMOS Static RAM
1 Meg (256K x 4-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1)
Timing Waveform of Read Cycle No. 2
(1,2,4)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of
CS
transition LOW; otherwise t
AA
is the limting parameter.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
DATA
OUT
ADDRESS
2966 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
VALID
PREVIOUS DATA
OUT
VALID
ADDRESS
2966 drw 05
OE
CS
DATA
OUT
(5)
(5)
(5)
(5)
DATA
OUT
VALID
HIGH IMPEDANCE
t
AA
t
RC
t
OE
t
ACS
t
OLZ
t
CHZ
t
CLZ
(3)
t
OHZ
V
CC
SUPPLY
CURRENT
t
PU
t
PD
I
CC
I
SB
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PDF描述 |
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