參數(shù)資料
型號: IDT71028S20YG8
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 256K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28
封裝: 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 457K
代理商: IDT71028S20YG8
6.42
IDT71028 CMOS Static RAM
1 Meg (256K x 4-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V
CC
= 5.0V ± 10%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71028S12
71028S15
71028S20
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t
RC
Read Cycle Time
12
15
20
ns
t
AA
Address Access Time
12
15
20
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
12
15
20
ns
t
CLZ
(1)
Chip Select to Output in Low-Z
3
3
3
ns
t
CHZ
(1)
Chip Deselect to Output in High-Z
0
6
0
7
0
8
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
6
7
8
ns
t
OLZ
(1)
Output Enable to Output in Low-Z
0
0
0
ns
t
OHZ
(1)
Output Disable to Output in High-Z
0
5
0
5
0
7
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
4
4
4
ns
t
PU
(1)
Chip Select to Power-Up Time
0
0
0
ns
t
PD
(1)
Chip Deselect to Power-Down Time
12
15
20
ns
Write Cycle
t
WC
Write Cycle Time
12
15
20
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
10
12
15
ns
t
CW
Chip Select to End-of-Write
10
12
15
ns
t
AS
Address Set-Up Time
0
0
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
10
12
15
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
0
0
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
7
8
9
ns
t
DH
Data Hold Time
0
0
0
ns
t
OW
(1)
Output Active from End-of-Write
3
3
4
ns
t
WHZ
(1)
Write Enable to Output in High-Z
0
5
0
5
0
8
ns
2966 tbl 09
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
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