- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄357926 > IDT71028S20YG8 (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 256K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71028S20YG8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 457K |
| 代理商： | IDT71028S20YG8 |
6.42
IDT71028 CMOS Static RAM
1 Meg (256K x 4-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics
(V
CC
= 5.0V ± 10%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71028S12
71028S15
71028S20
Symbol
Parameters
Com'l.
Ind.
Com'l.
Ind.
Com'l.
Ind.
Unit
I
CC
Dynamc Operating Current,
CS
≤
V
IL
, Outputs Open,
V
CC
= Max., f = f
MAX
(2)
155
170
150
165
145
160
mA
I
SB
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS
≥
V
IH
, Outputs Open,
V
CC
= Max., f=f
MAX
(2)
40
40
40
40
40
40
mA
I
SB1
Full Standby Power Supply Current
(CMOS Level),
CS
≥
V
HC
, Outputs Open,
V
CC
= Max., f = 0
(2)
, V
IN
≤
V
LC
or V
IN
≥
V
HC
10
10
10
10
10
10
mA
2966 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Condition
IDT71028
Unit
Min.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
V
CC
= Max., V
IN
= GND to V
CC
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
CC
= Max.,
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND to V
CC
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 8mA, V
CC
= Min.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –4mA, V
CC
= Min.
2.4
___
V
2966 tbl 06
DC Electrical Characteristics
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
– 0.2V)
*Including jig and scope capacitance.
AC Test Conditions
Figure 1. AC Test Load
Figure 2. AC Test Load
(for t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW,
and t
WHZ
)
2966 drw 03
480
255
30pF
DATA
OUT
5V
2966 drw 04
480
255
5pF*
DATA
OUT
5V
AC Test Loads
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. f
MAX
= 1/t
RC
(all address inputs are cycling at f
MAX
)
;
f = 0 means no address input lines are changing.
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
Input Rise/Fall Times
3ns
Input Timing Reference Levels
1.5V
Output Reference Levels
1.5V
AC Test Load
See Figures 1 and 2
2966 tbl 08
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT742540BTSOB | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
| IDT742540TD | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
| IDT742540TDB | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
| IDT742540ATLB | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
| IDT742540ATSOB | FAST CMOS OCTAL BUFFER/LINE DRIVERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71028SI4Y | 制造商:INT_DEV_TECH 功能描述: |
| IDT71124S12Y | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71124S12Y8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71124S12YG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| IDT71124S12YG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。