參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V34TS20PFI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 24/25頁
文件大?。?/td> 391K
代理商： IDT70V34TS20PFI
6.42
IDT70V35/34S/L
(IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
8
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range for 70V35/34(1) (VDD = 3.3V ± 0.3V)
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. VDD = 3.3V, TA = +25°C, and are not production tested. IDD DC = 115mA (typ.)
3. At f = fMAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/tRC, and using “AC Test Conditions” of input
levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5.
Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
70V35/34X15
Com'l Only
70V35/34X20
Com'l
& Ind
70V35/34X25
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
IDD
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = VIL, Outputs Disabled
SEM = VIH
f = fMAX
(3)
COM'L
S
L
150
140
215
185
140
130
200
175
130
125
190
165
mA
IND
S
L
____
140
130
225
195
____
ISB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CER and CEL = VIH
SEMR = SEML = VIH
f = fMAX
(3)
COM'L
S
L
25
20
35
30
20
15
30
25
16
13
30
25
mA
MIL &
IND
S
L
____
20
15
45
40
____
ISB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE"A" = VIL and CE"B" = VIH(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=fMAX
(3)
SEMR = SEML = VIH
COM'L
S
L
85
80
120
110
80
75
110
100
75
72
110
95
mA
MIL &
IND
S
L
____
80
75
130
115
____
ISB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Both Ports
CEL and
CER > VDD - 0.2V,
VIN > VDD - 0.2V or
VIN < 0.2V, f = 0
(4)
SEMR = SEML > VDD - 0.2V
COM'L
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
MIL &
IND
S
L
____
1.0
0.2
15
5
____
ISB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE"A" < 0.2V and
CE"B" > VDD - 0.2V(5)
SEMR = SEML > VDD - 0.2V
VIN > VDD - 0.2V or VIN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = fMAX
(3)
COM'L
S
L
85
80
125
105
80
75
115
100
75
70
105
90
mA
MIL &
IND
S
L
____
80
75
130
115
____
5624 tbl 09
AC Test Conditions
Figure 1. AC Output Test Load
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
Figures 1 and 2
5624 tbl 10
Figure 2. Output Test
Load
(For tLZ, tHZ, tWZ, tOW)
*Including scope and jig.
5624 drw 06
590
30pF
435
3.3V
DATAOUT
BUSY
INT
590
5pF*
435
3.3V
DATAOUT
,
Timing of Power-Up Power-Down
CE
5624 drw 07
tPU
ICC
ISB
tPD
50%
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71256L35PI 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28
IDT7140SA25PFG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
7140LA25PFG 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
7140LA55CGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48
7140SA25PFGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70V3569S4BC8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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IDT70V3569S4BF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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