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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V34TS20PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 12/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 391K |
| 代理商： | IDT70V34TS20PFI |
6.42
IDT70V35/34S/L
(IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2
Description
The IDT70V35/34 (IDT70V25/24) is a high-speed 8/4K x 18 (8/4K
x16) Dual-Port Static RAM. The IDT70V35/34 (IDT70V25/24) is de-
signed to be used as a stand-alone Dual-Port RAM or as a combination
MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit (32-bit) or wider memory
system applications results in full-speed, error-free operation without the
need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by
CEpermitstheon-chipcircuitryofeachporttoenter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 430mW (IDT70V35/34) and 400mW
(IDT70V25/24) of power.
The IDT70V35/34 (IDT70V25/24) is packaged in a plastic 100-pin
Thin Quad Flatpack. The IDT70V25/24 is packaged in a ceramic 84-pin
PGA and 84-Pin PLCC.
Pin Configurations(1,2,3,4)
NOTES:
1.
A12 is a NC for IDT70V34.
2. All VDD pins must be connected to power supply.
3. All VSS pins must be connected to ground.
4. PN100-1 package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part marking.
Index
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100 99 98 9796 959493 9291 90 89 8887 8685 84 83 828180 79 78 77 76
IDT70V35/34PF
PN100-1(5)
100-Pin TQFP
Top View(6)
N/C
I/O8L
I/O17L
I/O11L
I/O12L
I/O13L
I/O14L
Vss
I/O15L
I/O16L
VDD
Vss
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
VDD
I/O4R
I/O5R
I/O6R
I/O8R
I/O17R
N/C
5624 drw 02
N/C
A5L
A4L
A3L
A2L
A1L
A0L
INTL
Vss
M/
S
BUSYR
INTR
A0R
N/C
BUSYL
A1R
A2R
A3R
A4R
I/
O
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L
I/
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A
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)
A
1
2
R
(1
)
,
06/24/04
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71256L35PI | 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28 |
| IDT7140SA25PFG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 7140LA25PFG | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64 |
| 7140LA55CGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48 |
| 7140SA25PFGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70V3569S4BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4BF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4BFG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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