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參數(shù)資料
| 型號： | HY63V8400 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Kx8Bit CMOS FAST SRAM |
| 中文描述： | 512Kx8Bit的CMOS快速靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | HY63V8400 |
HY63V8400 Series
Rev.02 / Jan.99
5
READ CYCLE 1
ADDR
OE
CS
Data
Out
Data Valid
tRC
tACS
tCLZ
tOE
tOLZ
tAA
tOH
tOHZ
tCHZ
High-Z
Note (Read Cycle)
1. tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are
not referenced to output voltage levels.
2. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max. is less than tCLZ min. both for a given
device and from device to device.
3. /WE is high for read cycle.
READ CYCLE 2
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
ADDR
Data
Out
Note (Read Cycle)
1. /WE is high for read cycle.
2. Device is continuously selected /CS=V
IL
.
3. /OE=V
IL
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HY64UD16322A-E | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-I | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HY64LD16162M-DF85E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64LD16162M-DF85I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
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