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參數(shù)資料
| 型號： | HY5S6B6DSFP-BE |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 23/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 368K |
| 代理商： | HY5S6B6DSFP-BE |
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Rev 0.3 / July 2004
23
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
AC CHARACTERISTICS I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1. Assume t
R
/ t
F
(input rise and fall time) is 1ns. If t
R
& t
F
> 1ns, then [(t
R
+t
F
)/2-1]ns should be added to the parameter.
2. Access time to be measured with input signals of 1V/ns edge rate, from 0.8V to 0.2V. If t
R
> 1ns,
then (t
R
/2-0.5)ns should be added to the parameter.
Parameter
Symbol
S
B
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
System Clock
Cycle Time
CAS Latency=3
t
CK3
9.5
1000
15
1000
ns
CAS Latency=2
t
CK2
15
15
ns
Clock High Pulse Width
t
CHW
3.5
-
3.5
-
ns
1
Clock Low Pulse Width
t
CLW
3.5
-
3.5
-
ns
1
Access Time
From Clock
CAS Latency=3
t
AC3
-
7
-
9
ns
2
CAS Latency=2
t
AC2
-
8
-
9
ns
Data-out Hold Time
t
OH
2.5
-
2.5
-
ns
Data-Input Setup Time
t
DS
3
-
4
-
ns
1
Data-Input Hold Time
t
DH
1.5
-
2
-
ns
1
Address Setup Time
t
AS
3
-
4
-
ns
1
Address Hold Time
t
AH
1.5
-
2
-
ns
1
CKE Setup Time
t
CKS
3
-
4
-
ns
1
CKE Hold Time
t
CKH
1.5
-
2.0
-
ns
1
Command Setup Time
t
CS
3
-
4
-
ns
1
Command Hold Time
t
CH
1.5
-
2
-
ns
1
CLK to Data Output in Low-Z Time
t
OLZ
1
-
1
-
ns
CLK to Data Output in
High-Z Time
CAS Latency=3
t
OHZ3
7
9
ns
CAS Latency=2
t
OHZ2
8
9
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DSFP-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY62256A | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62256ALLJ | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62256ALLP | JT 22C 22#22D SKT RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DSFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S7B2ALFP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM |
| HY5S7B2ALFP-6E | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5S7B2ALFP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM |
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