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參數(shù)資料
| 型號： | HY5S6B6DSFP-BE |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 22/27頁 |
| 文件大小： | 368K |
| 代理商： | HY5S6B6DSFP-BE |
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Rev 0.3 / July 2004
22
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
DC CHARACTERISTICS III
-
Low Power (I
DD6
)
* HY5S6B6DLF Series
1)
DC CHARACTERISTICS III
-
Super Low Power (I
DD6
)
* HY5S6B6DSF Series
2)
Note 1) IDD6 vs Temp. Graph for HY5S6B6DLF Note 2) IDD6 vs Temp. Graph for HY5S6B6DSF
Temp.
(
o
C)
Memory Array
2 Banks
130
Unit
4 Banks
190
1 Bank
100
85
μ
A
μ
A
45
120
90
80
Temp.
(
o
C)
Memory Array
2 Banks
110
Unit
4 Banks
150
1 Bank
90
85
μ
A
μ
A
45
100
85
75
-20
0
20
40
60
80
60
80
100
120
140
160
180
200
Temp. [ ]
℃
℃
℃
℃
1 Bank
HY5S6B6DLF Serise
I
4 Bank
2 Bank
-20
0
20
40
60
80
60
80
100
120
140
160
180
200
Temp. [ ]
℃
℃
℃
℃
1 Bank
HY5S6B6DSF Serise
I
4 Bank
2 Bank
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DSFP-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-SE | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY62256A | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62256ALLJ | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62256ALLP | JT 22C 22#22D SKT RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S6B6DSFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S6B6DSF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S7B2ALFP-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM |
| HY5S7B2ALFP-6E | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5S7B2ALFP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM |
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