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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F400BT90 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512Kx8/256Kx16）5伏只閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/40頁 |
| 文件大小： | 509K |
| 代理商： | HY29F400BT90 |
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23
Rev. 5.2/May 01
HY29F400
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
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Figure 11. Test Setup
Measurement Level
1.5 V
Output
I
nput
1.5 V
0.0 V
3.0 V
HY29F400-45 Version
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F400-55, -70, -90 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
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KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
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V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F400TG45 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TG55 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TG90 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400BG-45 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BG-55 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F400BT-90 | 制造商:HYUNDAI 功能描述:NOR Flash, 256K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| HY29F400TG45 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TG-45 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TG55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TG-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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