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參數(shù)資料
| 型號： | HY27SF081G2M-TIP |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 37/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HY27SF081G2M-TIP |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
37
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
:3
:(
9FF
7
W
9
7+
Figure 27: Power On and Data Protection Timing
* See the Application Note.1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27SF081G2M-TIS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TMB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TMP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TMS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TPCB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27SF081G2M-TIS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TMB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TMP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TMS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-TPCB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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