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參數(shù)資料
| 型號： | HX6356KVRT |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, UUC |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | HX6356KVRT |
HX6356
6
HIGH
IMPEDANCE
NCS
NOE
DATA VALID
CE
TAVAVR
TAVQV
TAXQX
TSLQV
TSLQX
TSHQZ
TEHQX
TEHQV
TGLQX
TGLQV
TGHQZ
TELQZ
ADDRESS
(NWE = high)
DATA OUT
READ CYCLE AC TIMING CHARACTERISTICS (1)
(1) Test conditions: input switching levels VIL/VIH=0.5V/VDD-0.5V (CMOS), VIL/VIH=0V/3V (TTL), input rise and fall times <1 ns/V, input and
output timing reference levels shown in the Tester AC Timing Characteristics table, capacitive output loading C
L >50 pF, or equivalent
capacitive output loading C
L=5 pF for TSHQZ, TELQZ TGHQZ. For CL >50 pF, derate access times by 0.02 ns/pF (typical).
(2) Typical operating conditions: VDD=5.0 V, TA=25
°C, pre-radiation.
(3) Worst case operating conditions: VDD=4.5 V to 5.5 V, post total dose at 25
°C.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HX6356KSFC | 32K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, UUC |
| HY27SA081G1M-FPEB | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
| HY27SA081G1M-VPEB | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27UA081G1M-TIB | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HX6356PBFC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32K x 8 STATIC RAM-SOI |
| HX6356PBFT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32K x 8 STATIC RAM-SOI |
| HX6356PBHC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32K x 8 STATIC RAM-SOI |
| HX6356PBHT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32K x 8 STATIC RAM-SOI |
| HX6356PBNC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32K x 8 STATIC RAM-SOI |
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