參數(shù)資料
型號(hào)： HUF76009D3S
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 20A, 20V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs
中文描述： 20 A, 20 V, 0.039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 252K
代理商： HUF76009D3S
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF76009P3, HUF76009D3S Rev. B
HUF76009P3, HUF76009D3S
TO-220AB
3 LEAD JEDEC TO-220AB PLASTIC PACKAGE
E
P
Q
D
H
1
E
1
L
L
1
60
o
b
1
b
1
2
e
3
e
1
A
c
J
1
45
o
D
1
A
1
TERM. 4
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.170
0.180
4.32
4.57
-
A
1
b
0.048
0.052
1.22
1.32
-
0.030
0.034
0.77
0.86
3, 4
b
1
c
0.045
0.055
1.15
1.39
2, 3
0.014
0.019
0.36
0.48
2, 3, 4
D
0.590
0.610
14.99
15.49
-
D
1
E
-
0.160
-
4.06
-
0.395
0.410
10.04
10.41
-
E
1
e
-
0.030
-
0.76
-
0.100 TYP
2.54 TYP
5
e
1
H
1
J
1
L
0.200 BSC
5.08 BSC
5
0.235
0.255
5.97
6.47
-
0.100
0.110
2.54
2.79
6
0.530
0.550
13.47
13.97
-
L
1
P
0.130
0.150
3.31
3.81
2
0.149
0.153
3.79
3.88
-
Q
0.102
0.112
2.60
2.84
-
NOTES:
1. These dimensions are within allowable dimensions of Rev. J of
JEDEC TO-220AB outline dated 3-24-87.
2. Lead dimension and finish uncontrolled in L
1
.
3. Lead dimension (without solder).
4. Add typically 0.002 inches (0.05mm) for solder coating.
5. Position of lead to be measured 0.250 inches (6.35mm) from bot-
tom of dimension D.
6. Position of lead to be measured 0.100 inches (2.54mm) from bot-
tom of dimension D.
7. Controlling dimensio n :Inch.
8. Revision 2 dated 7-97.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF76009D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
HUF76009P3 20A, 20V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs
HUF76009P3 RF/Coaxial Connector; RF Coax Type:TNC; Impedance:50ohm; Body Style:Straight Flanged Jack; Body Plating:Nickel RoHS Compliant: Yes
HUF76013D3S 20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs(20A, 20V, 0.022 Ω,N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
HUF76013P3 20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs(20A, 20V, 0.022 Ω,N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF76009D3ST 功能描述:MOSFET 20a 20V N-Ch Logic Level 0.027Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76009P3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HUF76013D3S 功能描述:MOSFET 20a 20V N-Ch Logic Level 0.022Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76013D3ST 功能描述:MOSFET 20a 20V N-Ch Logic Level 0.022Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76013P3 功能描述:MOSFET 20a 20V N-Ch Logic Level 0.022Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*