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參數(shù)資料
| 型號： | HN29WT800T-10 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 17/43頁 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | HN29WT800T-10 |
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HN29W12811BP Series
17
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Notes
V
CC
voltage
V
SS
voltage
All input and output voltages
V
CC
V
SS
Vin, Vout
–0.6 to +4.6
V
1
0
V
–0.6 to V
CC
+ 0.3
0 to +70
V
1, 2
Operating temperature range
Topr
C
Storage temperature range
Tstg
–65 to +125
C
3
Storage temperature under bias
Notes: 1. Relative to V
SS
.
2. Vin, Vout = –2.0 V for pulse width
≤
20 ns.
3. Device storage temperature range before programming.
Tbias
–10 to +80
C
Capacitance
(Ta = 25C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0 V
Output capacitance
Cout
—
—
12
pF
Vout = 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WT800T-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800T-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN2A01FUGR | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FUY | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FU | PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29WT800T-12 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:8MB CMOS FLASH DINOR 1M*8 3.3V |
| HN29WT800T-8 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN2A01FE | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| HN2A01FE-GR(TE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
| HN2A01FE-Y(TE85L,F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
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