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參數(shù)資料
| 型號： | HN29WB800R-12 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 40/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | HN29WB800R-12 |
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HN29W12811BP Series
40
Memory Structure
8
sector
2,112 bytes (16,896 bits)
byte (8 bits)
bit
Bit: Minimum unit of data.
Byte: Input/output data unit in programming and reading. (1 byte = 8 bits)
Sector: Page unit in erase, programming and reading. (1 sector = 2,112 bytes = 16,896 bits)
Device: 1 device = 8,192 sectors.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WB800R-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800SERIES | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29WB800R-8 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-10 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800T-12 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800T-8 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
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