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參數(shù)資料
| 型號： | HN29WB800R-12 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 2/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | HN29WB800R-12 |
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HN29W12811BP Series
2
Erase mode
Single sector erase ((2048 + 64) byte unit)
Fast serial read access time:
First access time: 50
μ
s (max)
Serial access time: 60 ns (max)
Low power dissipation:
I
CC2
= 40 mA (max) (Read)
I
SB2
= 50
μ
A (max) (Standby)
I
CC3
/I
CC4
= 40 mA (max) (Erase/Program)
I
SB3
= 5
μ
A (max) (Deep standby)
The following architecture is required for data reliability.
Error correction: more than 1-bit error correction per each sector read
Spare sectors: 1.8% (145 sectors) within usable sectors
Ordering Information
Type No.
Available sector
Package
HN29W12811BP-60
More than 8,029 sectors
72-bump 0.8 mm ball pitch CSP (TBP-72A)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WB800R-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800SERIES | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29WB800R-8 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800T-10 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800T-12 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800T-8 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
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