參數(shù)資料
型號： HMC-ALH216
廠商： HITTITE MICROWAVE CORP
元件分類： 放大器
英文描述： 14000 MHz - 27000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝： 2.25 X 1.58 MM, 0.10 MM HEIGHT, DIE-6
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 184K
代理商： HMC-ALH216
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1 - 128
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HMC-ALH216
v03.0209
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE
AMPLIFIER, 14 - 27 GHz
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage
+5.5 Vdc
Gate Bias Voltage
-1 to +0.3 Vdc
RF Input Power
6 dBm
Channel Temperature
180 °C
Continuous Pdiss (T=85°C)
(derate 14.9 mW/C above 85°C)
1.4 W
Thermal Resistance
(Channel to die bottom)
67 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85 °C
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM].
2. TYPICAL BOND PAD IS .004” SQUARE.
3. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD.
4. BACKSIDE METAL IS GROUND.
5. BOND PAD METALLIZATION: GOLD.
6. CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.
7. OVERALL DIE SIZE ±.002”
Die Packaging Information [1]
Standard
Alternate
GP-1 (Gel Pack)
[2]
[1] Refer to the “Packaging Information” section for die
packaging dimensions.
[2] For alternate packaging information contact Hittite
Microwave Corporation.
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PDF描述
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