參數(shù)資料
型號(hào)： HM5225805BTT-A6
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 25/63頁(yè)
文件大?。?/td> 462K
代理商： HM5225805BTT-A6
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
25
Auto Precharge
Read with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after completing a
read operation, a precharge command need not be executed after each read operation. The command executed
for the same bank after the execution of this command must be the bank active (ACTV) command. In
addition, an interval defined by l
APR
is required before execution of the next command.
CAS
latency
Precharge start cycle
3
2 cycle before the final data is output
2
1 cycle before the final data is output
Burst Read
(Burst Length = 4)
CLK
lAPR
lRAS
lAPR
CL=2 Command
CL=3 Command
DQ (input)
DQ (input)
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
And an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command and internal precharge " ".
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
lRAS
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5225405BTT-A6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225325F-B60 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM
HM5225645F-B60 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM
HM5225325F 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM)
HM5225645F 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM)
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