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參數(shù)資料
| 型號： | HF234GT100D3201 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | H8S/2345 F-ZTAT Hardware Manual |
| 中文描述： | H8S/2345的F - ZTAT硬件手冊 |
| 文件頁數(shù)： | 576/907頁 |
| 文件大小： | 3277K |
| 代理商： | HF234GT100D3201 |
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564
Bit 0—Program Setup (PSU):
Prepares for a transition to program mode. Set this bit to 1 before
setting the P bit to 1 in FLMCR1. Do not set the SWE, ESU, EV, PV, E, or P bit at the same time.
Bit 0
PSU
Description
0
Program setup cleared
(Initial value)
1
Program setup
[Setting condition]
When FWE = 1, and SWE = 1
17.7.3
Erase Block Registers 1 and 2 (EBR1, EBR2)
Bit
7
6
5
4
3
2
1
0
EBR1
—
—
—
—
—
—
EB9
EB8
Initial value
Read/Write
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
0
0
R/W
R/W
Bit
7
6
5
4
3
2
1
0
EBR2
EB7
EB6
EB5
EB4
EB3
EB2
EB1
EB0
Initial value
Read/Write
0
0
0
0
0
0
0
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
EBR1 and EBR2 are registers that specify the flash memory erase area block by block; bits 1 and
2 in EBR1 and bits 7 to 0 in EBR2 are readable/writable bits. EBR1 and EBR2 are each initialized
to H'00 by a reset, in hardware standby mode and software standby mode, when a low level is
input to the FWE pin, and when a high level is input to the FWE pin and the SWE bit in FLMCR1
is cleared to 0. When a bit in EBR1 or EBR2 is set, the corresponding block can be erased. Other
blocks are erase-protected. Blocks are erased separately (in one-block units), so set only one bit in
EBR1 or EBR2 (more than one bit cannot be set to 1). To erase all blocks, erase one block at a
time, once after another in sequence. Then on-chip flash memory is disabled (modes 4 and 5), a
read with return H'00, and writes are disabled.
The flash memory block configuration is shown in table 17.12.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HF238901M | 制造商:HOPERF 制造商全稱:HOPERF 功能描述:SAW FILTER |
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