參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E649EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 7/29頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： HB52E649EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
7
Pin Description
(HB52E649EN)
Pin name
Function
A0 to A12
Addr ess input
Row address
Column address
Bank sel ec addres s
A0 to A12
A0 to A9
BA0/ BA1
DQ0 to DQ63
Dat a input out put
CB0 to CB7
S0
to
S3
RE
CE
W
Chec k bi (Dat a i nput out put
Chi p sel ec input
Row enabl e (RAS) input
Col umn enabl e (CAS) input
Wr e enabl e input
DQMB0 t o DQMB7
By e dat a mas k
CK0 to CK3
Cl oc k i nput
CKE0, CKE1
Cl oc k enabl e input
WP
Wr e pr ot ec for ser al PD
SDA
Dat a input out put for ser al PD
SCL
Cl oc k i nput for s er al PD
SA0 to SA2
Ser al addr es s input
V
C C
V
SS
NC
Pr mary pos v e power suppl y
Gr ound
No connec on
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52F169E1 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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