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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2166H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | HAT2166H |
HAT2166H
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 6 of 10
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
0.1
0.3
1
3
10
30
100
100
20
50
10
di / dt = 100 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
Reverse Drain Current I (A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
100
300
30
10
0.1 0.2
2
10
100
20
1
0.5
5
1000
50
3
V = 10 V , V = 10 V
Rg = 4.7 , duty < 1 %
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
I = 45 A
V
GS
V
DS
V = 25 V
10 V
5 V
V = 25 V
10 V
5 V
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
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PDF描述 |
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