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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2166H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | HAT2166H |
HAT2166H
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 4 of 10
Main Characteristics
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
Tc = 75
°
C
25
°
C
-25
°
C
V = 10 V
Pulse Test
V = 2.2 V
10 V
4.5 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
Pulse Test
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
10
1
0.1
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
Tc = 25
°
C
1 shot Pulse
PW=10ms
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DCOperaion
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
40
30
20
0
50
100
150
200
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PDF描述 |
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