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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2166H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | HAT2166H |
HAT2166H
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 2 of 10
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
30
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
45
A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note1
180
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
I
AP
Note 2
E
AR
Note 2
Pch
Note3
θ
ch-C
Tch
45
A
Avalanche current
25
A
Avalanche energy
62.5
mJ
Channel dissipation
25
W
°
C/W
°
C
°
C
Channel to Case Thermal Resistance
5.0
Channel temperature
150
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
3. Tc = 25°C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2168H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HAT2167H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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