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參數資料
| 型號： | GS881E36BT-333 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 4.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 25/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 815K |
| 代理商： | GS881E36BT-333 |
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GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04a 3/2009
31/39
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
VIHJ3
2.0
VDD3 +0.3
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
VILJ3
–0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–0.3
0.3 * VDD2
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ VIN VDDn
3. 0 V
VIN VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E36BGT-250T | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS882Z36BD-166 | 256K X 36 ZBT SRAM, 7 ns, PBGA165 |
| GS882Z36BGD-166I | 256K X 36 ZBT SRAM, 7 ns, PBGA165 |
| GS882Z36BGD-225T | 256K X 36 ZBT SRAM, 6 ns, PBGA165 |
| GSCB01C-6Q01 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.55A, 125VDC, 17.3mm, PANEL MOUNT-THREADED |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS881E36BT-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36CD-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS881E36CD-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS881E36CD-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 4.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS881E36T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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