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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8662T06BD-350I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 8/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 651K |
| 代理商： | GS8662T06BD-350I |
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20% tKHKH
VSS – 1.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKHKH
VDD + 1.0 V
50%
VDD
VIL
Note:
Input Undershoot/Overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD = 1.8 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
6
7
pF
Clock Capacitance
CCLK
VIN = 0 V
5
6
pF
Note:
This parameter is sample tested.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 3/2011
16/33
2011, GSI Technology
GS8662T20/38BD-550/500/450/400/350
GS8662T06/11BD-500/450/400/350
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
1.25 V
Input low level
0.25 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
0.75 V
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = VDDQ/2
50
Ω
RQ = 250
Ω (HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
AC Test Load Diagram
(TA = 25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662T06BD-350T | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8672Q38BE-500I | 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
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| GS880F32BGT-7IT | 256K X 32 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| GSAA07C-Q01 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, PANEL MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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