參數(shù)資料
型號： GS8170DD36C-300I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM
中文描述： 512K X 36 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
文件頁數(shù)： 9/29頁
文件大小： 537K
代理商： GS8170DD36C-300I
GS8170DD36C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.03 1/2005
9/29
2002, GSI Technology, Inc.
Example Four Bank Depth Expansion Schematic—
Σ
1x2Lp
A
CK
E1
E2
E3
W
DQ
CQ
A
1
–A
n
CK
W
DQ
0
–DQ
n
Bank 0
Bank 1
Bank 2
Bank 3
Bank Enable Truth Table
EP2
EP3
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
DD
E2
E3
Bank 0
Bank 1
Bank 2
Bank 3
Active Low
Active Low
Active High
Active High
Active Low
Active High
Active Low
Active High
E1
A
n – 1
A
n
A
1
–A
n – 2
A
n – 1
A
n
A
1
–A
n – 2
A
n – 1
A
n
A
1
–A
n – 2
A
n – 1
A
n
A
1
–A
n – 2
A
CK
E2
E3
W
DQ
CQ
A
CK
E2
E3
W
DQ
CQ
A
CK
E2
E1
E3
W
DQ
CQ
E1
E1
CQ
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0
0
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1
0
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0
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1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8170DD36C-333 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM
GS8170DD36C-333I 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM
GS8170DW36AC 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
GS8170DW36AGC-333I 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
GS8170DW36AGC-350 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8170DW36AC-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays
GS8170DW36AC-350 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays
GS8170DW36AC-350I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays
GS8170DW36AGC-250 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays
GS8170DW36AGC-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays
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