參數(shù)資料
型號(hào)： FLL21E180IU
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： High Voltage - High Power GaAs FET
中文描述： 高電壓-高功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 161K
代理商： FLL21E180IU
FLL21E180IU
High Voltage - High Power GaAs FET
2
Output Power vs. Input Power
@V
DS
=28V I
DS
=2A f=2.14GHz
Pulse RF Test : P.W. 1msec ,duty=10%
Output Power vs. Frequency
@V
DS
=28V I
DS
=1.7A
Pulse RF Test : P.W. 1msec ,duty=10%
Two-Carrier IMD(ACLR), Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=1.7A fo=2.1325, f1=2.1475GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
Single-Carrier ACLR , Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=1.7A fo=2.1325GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
2
2.05
2.1
2.15
2.2
2.25
2.3
Frequency [GHz]
O
Pin=20dBm
Pin=36dBm
Pin=25dBm
Pin=39.5dBm
Pin=30dBm
P1dB
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
Input Power [dBm]
O
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
Output Power [dBm]
I
0
5
10
15
20
25
30
35
D
IM3
IM5
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
28
30
32
34
36
38 40
42
44
46
48
Output Power [dBm]
A
0
5
10
15
20
25
30
35
D
+/-5MHz
+/-10MHz
Drain Efficiency
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PDF描述
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