參數(shù)資料
型號： FJV992
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Audio Frequency Low Noise Amplifier
中文描述： 50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： FJV992
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, November 2002
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. Static Characteristic
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 6. Base-Emitter Voltage
0
-20
-40
-60
-80
-100
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
I
B
= -0.6
μ
A
I
B
= -1.2
μ
A
I
B
= -1.2
μ
A
I
B
= -0.8
μ
A
I
B
= -0.4
μ
A
I
B
= -0.2
μ
A
I
B
= -1.0
μ
A
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
-2
-4
-6
-8
-10
I
B
= -8
μ
A
I
B
= -24
μ
A
I
B
= -20
μ
A
I
B
= -12
μ
A
I
B
= -4
μ
A
I
B
= -16
μ
A
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-1E-3
-0.01
-0.1
10
100
1000
Ta=125
0
C
Ta=-25
0
C
Ta=25
0
C
V
CE
=-6V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1E-3
-0.01
-0.1
-0.01
-0.1
-1
Ta=125
0
C
Ta=25
0
C
Ta=-25
0
C
I
C
=10I
B
V
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1E-3
0.01
0.1
0.1
1
Ta=125
0
C
Ta=25
0
C
Ta=-25
0
C
I
C
=10I
B
V
B
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-0.00
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
-0.10
-0.12
Ta=-25
0
C
Ta=25
0
C
Ta=125
0
C
V
CE
=-6V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJX1182 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
FJX2222A General Purpose Transistor
FJX2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor For General Purpose(通用的PNP硅外延晶體管)
FJX2907 General Purpose Transistor
FJX3001R Switching Application
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJV992EMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV992FMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV992FMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV992PMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV992PMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*