參數(shù)資料
型號(hào)： FJV992
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Audio Frequency Low Noise Amplifier
中文描述： 50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： FJV992
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Emitter Breakdown Voltage
I
EBO
Emitter-Base Cutoff Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
NV
Noise Voltage
h
FE2
Classification
Classification
h
FE2
Parameter
Ratings
-120
-120
-5
-50
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
EB
= -6V, I
C
=0
V
CE
= -6V, I
C
= -0.1mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
V
CB
= -30V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
-120
-120
-5
Max.
Units
V
V
V
nA
-30
DC Current Gain
150
200
800
-300
-0.65
mV
V
MHz
pF
mV
-0.55
50
3
40
P
F
E
200 ~ 400
300 ~ 600
400 ~ 800
FJV992
Audio Frequency Low Noise Amplifier
Complement to FJV1845
2JP
Marking
h
FE
Classification
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
3
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PDF描述
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FJV992FMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV992FMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV992PMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV992PMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/120V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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