參數(shù)資料
型號： FJPF3835
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power Amplifier
中文描述： 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-200F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： FJPF3835
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, May 2004
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
I
B
= 35mA
I
B
= 10mA
I
B
= 5mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 4V
T
C
= 75
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
I
C
= 10 I
B
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
I
C
= 10 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse
T
C
=25[
o
C]
100ms
I
C
MAX. (DC)
10ms
I
C
MAX. (Pulse)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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