參數(shù)資料
型號(hào)： FJPF5555
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Application
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： FJPF5555
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, June 2004
F
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
h
FE
* Pulse test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
1050
400
14
5
10
40
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=500
μ
A, I
E
=0
I
C
=5mA, I
B
=
0
I
E
=500
μ
A, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=3V, I
C
=0.8A
I
C
=1A, I
B
=0.2A
I
C
=3.5A, I
B
=1.0A
I
C
=3.5A, I
B
=1.0A
V
CB
=10V, f=1MHz
V
CC
=125V, I
C
=0.5A
I
B1
=45mA, I
B2
=0.5A
R
L
=250
Min.
1050
400
14
10
20
Typ.
Max.
Units
V
V
V
*
DC Current Gain
40
0.5
1.5
1.2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
V
V
pF
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
V
BE
(sat)
C
ob
t
ON
t
STG
t
F
t
ON
t
STG
t
F
Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
45
1.0
1.2
0.3
2.0
2.5
0.3
V
CC
=250V, I
C
=2.5A
I
B1
=0.5A, I
B2
=1.0A
R
L
=100
FJPF5555
High Voltage Switch Mode Application
Fast Speed Switching
Wide Safe Operating Area
Suitable for Electronic Ballast Application
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220F
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PDF描述
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