參數(shù)資料
型號: FJP5304D
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage High Speed Power Switch Application
中文描述: 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 79K
代理商: FJP5304D
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, May 2003
Electrical Characteristics
(Continued)
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Inductive Load Switching (V
CC
= 200V)
t
stg
Storage Time
tf
Fall Time
* Pulse test: PW
300
μ
s, Duty cycle
2%
Thermal Characteristics
Test Condition
Min.
TYP.
Max.
Units
I
C
= 2A, I
B1
= 0.4A
V
BE
(off) = -5V,
L = 200
μ
H
0.6
0.1
μ
s
Resistive Load Switching (V
CC
= 250V)
t
stg
Storage Time
tf
Fall Time
I
C
= 2A, I
B1
= I
B2
= 0.4A
T
P
= 30
μ
s
2.9
μ
s
0.2
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
Parameter
Max.
1.78
62.5
Units
°
C/W
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJP5321 High Voltage and High Reliability
FJP5355 High Voltage Switch Mode Application
FJP5554 High Voltage Fast Switching Transistor
FJP5554TU High Voltage Fast Switching Transistor
FJP9100 High Voltage Power Darlington Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJP5304D_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJP5304DTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP5321 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage and High Reliability
FJP5321TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 800V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP5355 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application