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參數(shù)資料
| 型號： | F49L004BA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 22/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | F49L004BA |
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EFS T
preliminary
F49L004UA / F49L004BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2003
Revision: 0.2 22/46
Table 12.
CE
Controlled Program/Erase Operations(T
A
= 0C to 70C, V
CC
= 2.7V~3.6V)
-70
-90
Symbol
Description
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
70
90
ns
t
AS
Address Setup Time
0
0
ns
t
AH
Address Hold Time
45
45
ns
t
DS
Data Setup Time
35
35
ns
t
DH
Data Hold Time
0
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
0
0
ns
t
WS
WE
Setup Time
0
0
ns
t
WH
WE
Hold Time
0
0
ns
t
CP
CE
Pulse Width
35
35
ns
t
CPH
CE
Pulse Width High
30
30
ns
t
WHWH1
Programming Operation(note2)
9(typ.)
9(typ.)
us
t
WHWH2
Sector Erase Operation (note2)
0.7(typ.)
0.7(typ.)
sec
Notes :
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLH0041G | 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package |
| FLM3439-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5359-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FM25L16 | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
| FM25L16-DG | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F49L004BA-70N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
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