- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄384280 > EDE5108AESK-6E-E (ELPIDA MEMORY INC) 512M bits DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE5108AESK-6E-E |
| 廠(chǎng)商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | EDE5108AESK-6E-E |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)當(dāng)前第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)
EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
6
Recommended DC Operating Conditions (SSTL_18)
Parameter
Symbol
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Supply voltage
VDD
1.7
1.8
1.9
V
4
Supply voltage for output
VDDQ
1.7
1.8
1.9
V
4
Input reference voltage
VREF
0.49
×
VDDQ
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
V
1, 2
Termination voltage
VTT
VREF
0.04
VREF
VREF + 0.04
V
3
DC input logic high
VIH (DC)
VREF + 0.125
VDDQ + 0.3
V
DC input low
VIL (DC)
0.3
VREF – 0.125
V
AC input logic high
VIH (AC)
VREF + 0.250
V
AC input low
VIL (AC)
VREF
0.250
V
Notes: 1. The value of VREF may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically
the value of VREF is expected to be about 0.5
×
VDDQ of the transmitting device and VREF are expected
to track variations in VDDQ.
2. Peak to peak AC noise on VREF may not exceed
±
2% VREF (DC).
3. VTT of transmitting device must track VREF of receiving device.
4. VDDQ tracks with VDD, VDDL tracks with VDD. AC parameters are measured with VDD, VDDQ and
VDDL tied together.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5108GBSA-4A-E | 512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104GBSA-5A-E | RxxPxx Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 15V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; Power: 1W; EN 60950 certified, rated for 250VAC; UL-60950-1 / CSA C22.2 certified; 5.2kVDC Isolation for 1 Minute; Optional Continuous Short Circuit Protected; 2 Chamber Transformer System; UL94V-0 Package Material; Efficiency to 80% |
| EDE5108GBSA-5A-E | INNOLINE: Rxx-100_150A - Compact High Voltage Power Supplies - 5 Watt in Low Profile DIP24 Package - 3000VDC Isolation - Remote Voltage Programming by External Voltage or Resistance - Continuous Short Circuit Protection - Cascadeable to generate Output Voltages of up to 420VDC |
| EDE5104GBSA | 512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5108ABSE | 512M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5108AGBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGBG-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGBG-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGSE-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。