參數(shù)資料
型號(hào)： CRCW12061021F100
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
文件大?。?/td> 596K
代理商： CRCW12061021F100
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 1990 MHz
η
D
1990
0
40
1930
35
11
IRL
G
ps
IMD
f1, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Two-Tone Performance versus
Frequency
I
I
I
I
35
30
25
20
15
10
5
1940
1950
1960
1970
1980
14
17
20
23
26
29
32
1.3
14.4
0.1
56
G
ps
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 11. CW Performance versus Output
Power
Gp
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 12 mA
f = 1990 MHz
14.0
13.6
13.2
12.8
12.4
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8 0.9
1.0
1.1 1.2
48
40
32
24
16
1
60
30
0.01
I
DQ
= 20 mA
16 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 12. Intermodulation Distortion versus
Output Power
I
I
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1990 MHz, f2 = 1990.1 MHz
TwoTone Measurement
100 kHz Tone Spacing
12 mA
9.6 mA
35
40
45
50
55
0.1
1
30
0.01
3rd Order
OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 13. Intermodulation Distortion
Products versus Output Power
I
I
7th Order
5th Order
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 12 mA, f1 = 1990 MHz, f2 = 1990.1 MHz
TwoTone Measurement, 100 kHz Tone Spacing
35
40
45
50
55
60
65
70
75
0.1
1
30
0.01
10 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 14. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
T
I
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 12 mA
f1 = 1990 MHz
f2 = f1 + Tone Spacing
TwoTone Measurement
100 kHz
35
40
45
50
55
60
0.1
1 MHz
P1dB
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 0.9 W (PEP), I
DQ
= 12 mA
TwoTone Measurement, 100 kHz Tone Spacing
η
D
η
D
,
p
,
η
D
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CRCW120620R0F100 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
CRD13003BC NPN SILICON POWER TRANSISTOR
CRX14(中文) Short Range Contactless Coupler Chip(短程遙控的耦合器芯片)
CRX14 Short Range Contactless Coupler Chip(短程遙控的耦合器芯片)
CSA1012 PNP, NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CRCW12061023FRT1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
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