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CSD19534Q5AT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19534Q5AT
    CSD19534Q5AT

    CSD19534Q5AT

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD19534Q5AT
    CSD19534Q5AT

    CSD19534Q5AT

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 648

  • TI/德州儀器

  • VSONP8

  • 18+

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • CSD19534Q5AT
    CSD19534Q5AT

    CSD19534Q5AT

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • TI

  • 近兩年生產

  • DFN-8

  • -
  • 每一片都來自原廠

  • CSD19534Q5AT
    CSD19534Q5AT

    CSD19534Q5AT

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 3800

  • TI/德州儀器

  • VSONP8

  • 21+

  • -
  • 只做原裝,真實庫存,價格優(yōu)勢。

  • CSD19534Q5AT
    CSD19534Q5AT

    CSD19534Q5AT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 1400

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • CSD19534Q5AT
    CSD19534Q5AT

    CSD19534Q5AT

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 68500

  • TI/德州儀器

  • VSONP8

  • 21+原廠授權

  • -
  • ★原廠授權★價超代理★

  • CSD19534Q5AT
    CSD19534Q5AT

    CSD19534Q5AT

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯系人:

    電話:18320850923

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 6600

  • TI

  • SON8

  • 18+

  • -
  • 全新原裝正品有保障

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
CSD19534Q5AT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 50A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 15.1 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 22nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1680pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 3.2W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • 8-VSON(5x6)
  • 標準包裝
  • 1
CSD19534Q5AT 技術參數
  • CSD19534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15.1 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD19534KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1670pF @ 50V 功率 - 最大值:118W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19533Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.4 毫歐 @ 13A,6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2670pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSONP(5x6) 標準包裝:1 CSD19533Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.1 毫歐 @ 13A,6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2670pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD19533KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 55A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2670pF @ 50V 功率 - 最大值:188W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W
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