两个奶头被吃得又翘又肿特别疼 ,2021欧美性爱

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

CSD23280F3T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD23280F3T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321148
TI
con
24+
-

CSD23280F3T
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD23280F3T
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321148
TI
con
24+
-

CSD23280F3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
96005
Ti
(YJM)
20
-
瑞智芯只有原裝

CSD23280F3T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD23280F3T
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321148
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

CSD23280F3T
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
321148
TI
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

CSD23280F3T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國(guó)上海
321148
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

CSD23280F3T
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4472
TI/華雄半導(dǎo)體
PICOSTAR-3
2221+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
1.8A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
116 毫歐 @ 400mA，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
0.95V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
1.23nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
234pF @ 6V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-XFDFN
供應(yīng)商器件封裝
3-PICOSTAR
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD23280F3T 技術(shù)參數(shù)

CSD23280F3 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:234pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23203WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23203W 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23202W10T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:53 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:512pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23202W10 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:53 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:512pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15