您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > C字母型號搜索 > C字母第4787頁 >

CSD25304W1015T

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD25304W1015T
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7500
TI
原廠原裝
1708+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

CSD25304W1015T
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD25304W1015T
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
14000
TI/德州儀器
DSBGA-6
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

CSD25304W1015T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD25304W1015T
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6
22+
-

CSD25304W1015T
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4600
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

CSD25304W1015T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
Ti
DSBGA (YZC)
21
-
瑞智芯只有原裝

CSD25304W1015T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
27106
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD25304W1015T
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
50
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

1/1頁 40條/頁共15條
1

您是不是要找： CSD25310Q2 CSD25401Q3 CSD25402Q3A CSD25404Q3 CSD25404Q3T CSD25480F3 CSD25480F3T CSD25481F4 CSD25481F4T

CSD25304W1015T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD25304W1015T PDF下載

功能描述
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
3A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
32.5 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.15V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
4.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
595pF @ 10V
功率 - 最大值
750mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-UFBGA，DSBGA
供應商器件封裝
6-DSBGA
標準包裝
1

CSD25304W1015T 技術(shù)參數(shù)

CSD25304W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32.5 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD25303W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:435pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標準包裝:1 CSD25302Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-SON 標準包裝:1 CSD25301W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標準包裝:1 CSD25213W10 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:47 毫歐 @ 1A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:478pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標準包裝:1 CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H