<dfn id="uj95j"></dfn>

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > C字母型號搜索 > C字母第4788頁 >

CSD2-6832FL/39-25-5B

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H

CSD2-6832FL/39-25-5B PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

CSD2-6832FL/39-25-5B PDF下載

功能描述
LAMP INCANDESCENT 3MM BLUE SMD
RoHS
否
類別
光電元件 >> 燈 - 白熾燈，氖燈
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
100
系列
-
顏色
透明
透鏡樣式/尺寸
圓形，帶圓頂，5mm，T-1 3/4
引線型
小型凹槽
MSCP（平均球面燭光）
0.3
額定電壓
60V
其它名稱
913.4005913.4005-ND

CSD2-6832FL/39-25-5B 技術(shù)參數(shù)

CSD25501F3T 功能描述:20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.33nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:385pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-LGA（0.73x0.64）封裝/外殼:3-XFLGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25485F5 功能描述:20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:533pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 900mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25484F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.42nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25483F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:205 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.96nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A CSD4-7152/39-26-4A CSD4-7152/39-26-5A CSD4-7152/39-26-7A CSD4-7152/39-29-5B CSD4PC