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CSD85302LT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD85302LT
    CSD85302LT

    CSD85302LT

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 250

  • TI/德州儀器

  • POSTAR-4

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • CSD85302LT
    CSD85302LT

    CSD85302LT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • CSD85302LT
    CSD85302LT

    CSD85302LT

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Texas Instruments

  • MOSFET 2N-CH

  • 22+

  • -
  • CSD85302LT
    CSD85302LT

    CSD85302LT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29097

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD85302LT
    CSD85302LT

    CSD85302LT

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 23313

  • Texas Instruments

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權(quán)分銷商,可追溯原廠可含稅

  • CSD85302LT
    CSD85302LT

    CSD85302LT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 1899

  • TI

  • NA

  • 近兩年

  • -
  • 查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
CSD85302LT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 N 溝道(雙)共漏
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • -
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • -
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • -
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • -
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 7.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • -
  • 功率 - 最大值
  • 1.7W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 4-XFLGA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 4-Picostar(1.31x1.31)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD85302LT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD85302L 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFLGA 供應(yīng)商器件封裝:4-Picostar(1.31x1.31) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85301Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85301Q2 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD83325LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:6 PicoStar 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD83325L 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:6 PicoStar 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603
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