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北京耐芯威科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
29107
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321150
TI
con
24+
-

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北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

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天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321150
TI
con
24+
-

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深圳市德江源電子有限公司
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聯(lián)系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號(hào)深紡大廈C座1A層1A621室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
13000
TI/德州儀器
POSTAR-3
20+
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只做原裝，假一賠十

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321150
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室
321150
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con
24+
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現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
321150
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con
24+
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：張
電話：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
TI
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24+
-
集成電路（IC）

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深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1523
Ti
(YJK)
19
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瑞智芯只有原裝

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功能描述
12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
P 溝道
技術(shù)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
5.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
35 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
628pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-XFDFN
供應(yīng)商器件封裝
3-PICOSTAR
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD23285F5T 技術(shù)參數(shù)

CSD23285F5 功能描述:MOSFET P-CH 12V 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23280F3T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:234pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23280F3 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:234pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23203WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23203W 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15 CSD25202W15T