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CSD19535KTTT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19535KTTT
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    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：陳先生 13360533550

    電話：0755-83289799

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 29160

  • 22+

  • -

  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD19535KTTT
    CSD19535KTTT

    CSD19535KTTT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19535KTTT
    CSD19535KTTT

    CSD19535KTTT

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Texas Instruments

  • MOSFET N-CH 100V 200

  • 22+

  • -

  • CSD19535KTTT
    CSD19535KTTT

    CSD19535KTTT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • TI

  • TO-2633

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD19535KTTT
    CSD19535KTTT

    CSD19535KTTT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • Ti

  • DDPAK/TO-263 (KTT)

  • 19

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD19535KTTT
    CSD19535KTTT

    CSD19535KTTT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 27988

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD19535KTTT
    CSD19535KTTT

    CSD19535KTTT

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A

  • 15+

  • -

  • 原裝正品 價格優(yōu)勢！

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 200A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 3.4 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 98nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 7930pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 300W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA
  • 供應商器件封裝
  • DDPAK/TO-263-3
  • 標準包裝
  • 1
CSD19535KTTT 技術參數(shù)
  • CSD19535KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:98nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7930pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD19535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:101nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19534Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD19534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD19534KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1670pF @ 50V 功率 - 最大值:118W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT
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