參數(shù)資料
型號(hào)： BUT12AI
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： BUT12AI
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI
Fig.13. Forward bias safe operating area. T
mb
= 25C
I
II
NB:
Region of permissible DC operation.
Extension for repetitive pulse operation.
Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of the
envelope.
Fig.14. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
j max
Fig.15. Typical DC current gain. hFE = f(IC)
parameter VCE
Fig.16. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
IC / A
VCE / V
DC
ICMmax
ICmax
I
II
0.01
1
100
10
1
0.1
10
h
FE
IC / A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
1V
5V
BUX100
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
0
200
400
600
800
1000
6
5
4
3
2
1
0
IC / A
VCE / V
8
7
June 1997
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12F Silicon diffused power transistors
BUT12AF Silicon diffused power transistors
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參數(shù)描述
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BUT12ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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BUT12F 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
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