參數(shù)資料
型號(hào)： BUT12AI
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： BUT12AI
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI
Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.10. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f(I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.11. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
B
); parameter I
C
Fig.12. Typical collector-emitter saturation voltage.
VCEsat = f(IB); parameter IC
0.1
1
10
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
VBEsat / V
IC / A
Tj = 125 C
Tj = 25 C
IC/IB=
8
10
12
0
0.4
0.8
1.2
IB / A
1.6
2
2.4
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
VBEsat / V
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC =
6A
3A
2A
0.1
1
10
10
1
0.1
VCEsat / V
IB / A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC=2A
4A
6A
0.1
1
10
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VCEsat / V
IC / A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB=
12
10
8
5
June 1997
4
Rev 1.000
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PDF描述
BUT12F Silicon diffused power transistors
BUT12AF Silicon diffused power transistors
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參數(shù)描述
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BUT12ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12AX 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT12AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
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