參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9675-55
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： 19.7 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK9675-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9675-55
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 0.25 mA;
MIN.
55
50
1
0.5
-
-
-
-
-
10
TYP.
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
MAX.
-
-
2
-
2.3
10
500
1
10
-
UNIT
V
V
V
V
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
T
j
= 175C
T
j
= -55C
I
DSS
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
T
j
= 175C
I
GSS
Gate source leakage current
V
GS
=
±
5 V; V
DS
= 0 V
T
j
= 175C
±
V
(BR)GSS
Gate-source breakdown
voltage
Drain-source on-state
resistance
I
G
=
±
1 mA;
-
R
DS(ON)
V
GS
= 5 V; I
D
= 10 A
-
-
60
-
75
157
m
m
T
j
= 175C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
g
fs
Forward transconductance
C
iss
Input capacitance
C
oss
Output capacitance
C
rss
Feedback capacitance
t
d on
Turn-on delay time
t
r
Turn-on rise time
t
d off
Turn-off delay time
t
f
Turn-off fall time
L
d
Internal drain inductance
CONDITIONS
V
DS
= 25 V; I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
MIN.
5
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
500
110
60
10
47
28
33
2.5
MAX.
-
650
135
85
15
70
40
45
-
UNIT
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
V
DD
= 30 V; I
D
= 10 A;
V
= 5 V; R
= 10
Resistive load
Measured from upper edge of drain
tab to centre of die
Measured from source lead
soldering point to source bond pad
L
s
Internal source inductance
-
7.5
-
nH
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
19.7
UNIT
A
-
-
-
-
-
79
1.2
-
-
A
V
ns
μ
C
I
F
= 19.7 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 19.7 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
0.95
32
0.12
April 1998
2
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9735-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220F
BUK9775-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220F
BUK9775-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9840-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9675-55A 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET
BUK9675-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9675-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9675-55A/T3 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUK9675-55T/R 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 19.7A I(D) | SOT-404
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