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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9635-56 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| 中文描述： | TrenchMOS（商標(biāo)）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BUK9635-56 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9635-55
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 17 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
10
8
7
6.4
6.0
5.8
5.6
5.4
5.2
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.6
2.4
0
10
20
30
40
50
60
70
5
10
15
20
25
30
gfs/S
ID/A
0
10
20
30
40
50
60
25
30
35
40
45RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
1
2
3
4
5
6
7
0
10
20
30
40
50
60
70
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK959-60
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
April 1998
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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